Micron introduzido Seus dispositivos DDR5 de 16 GB fabricados em seu novo processo de fabricação de 1γ (1 gama) que usa a litografia EUV, a primeira para a Micron, hoje em 25 de março. O novo IC não apenas oferece desempenho mais alto que seu antecessor, mas também consome menos energia e está pronto para ser mais barato. A empresa também disse que sua tecnologia de fabricação 1γ (nó de 10 nm de 10 nm) será adotada para outros produtos DRAM.

DDR5 a 9200 mt/s

O produto principal 1γ da Micron é o IC de 16 GB (2 GB) da empresa, classificado como uma taxa de transferência de dados de 9200 MT/s a uma tensão padrão do setor de 1,1V. Comparado ao seu antecessor – um IC de 16 GB de DDR5 fabricado no processo de fabricação de 1β – o novo dispositivo consome 20% menos energia e apresenta uma densidade de bits 30% maior, o que pode se traduzir em uma diminuição comparável no custo de produção, uma vez que os novos chips atingam rendimentos comparáveis ​​à dos dispositivos de DRAM de 1β 16 GB.

(Crédito da imagem: Micron)

Enquanto a Micron classifica seu mais recente ICS de 16 GB de DDR5 a 9200 mt/s, esta lixeira é significativamente maior do que qualquer coisa na última edição da especificação DDR5. A empresa enfatiza que o chip pode ser executado nas notas de velocidade compatíveis com JEDEC, e o compartimento de velocidade mais alta permitirá uma prova futura e compatibilidade com as CPUs de próxima geração. A Micron também sugere que os módulos de memória baseados em CUDIMMS ou CXL possam aproveitar velocidades superiores do JEDEC. Os DIMMs para entusiastas provavelmente também adotarão os novos drams para seus módulos pós-10.000 MT/s.

Atualmente, a Micron está amostrando seus ICs DDR5 de 16 GB, fabricados na tecnologia e produtos 1γ em sua base (ou seja, chips e módulos) com fabricantes de laptop e servidores e espera que suas qualificações sejam concluídas em um ou dois trimestres. Isso significa que devemos ver os mais recentes dispositivos de memória da Micron em produtos de varejo a partir de meados de 2025. A empresa espera que todos os tipos de módulos de memória – para desktops, laptops e servidores – adotem seus novos chips de memória.

Considerando o fato de que os drams baseados em 1γ da Micron oferecem uma combinação de qualidades valiosas para todos os segmentos de mercado-desempenho aprimorado para desktops, além de menor consumo de energia para notebooks e servidores-realmente esperamos que os últimos 16 GB de ICS da empresa se tornem bastante populares quando atingem o mercado.

(Crédito da imagem: Micron)

Com o tempo, a Micron usará sua tecnologia de fabricação 1γ para criar outros tipos de produtos de memória, incluindo produtos GDDR7, LPDDR5X (a 9600 mt/s) e produtos de grau de data center, para que o nó se torne um cavalo de batalha para a empresa.

1γ Tecnologia de fabricação

O processo de fabricação de 1γ da Micron é a primeira tecnologia da empresa a adotar a litografia ultravioleta extrema (EUV), algo que outros principais fabricantes de memória adotaram anos atrás. Já faz um tempo em chegar e parece oferecer benefícios significativos em relação às linhas de produtos existentes.

(Crédito da imagem: Micron)

A Micron não divulgou quantas camadas de EUV o novo nó de produção usa, mas podemos especular que a empresa usa o EUV para camadas críticas que, de outra forma, exigiriam o uso de multi-padrões, que aumentam os ciclos de produção e podem afetar os rendimentos. A Micron diz que 1γ usa o EUV em conjunto com as técnicas de DUV com múltiplas padrões. Além disso, a tecnologia de processo de 1γ DRAM da Micron adota a tecnologia de portão de metal de alta geração da próxima geração e um novo circuito de back-end da linha (BEOL).

“Além da adoção do EUV em 1γ, introduzimos nossos CMOs de portões de metal de alta geração e os processos avançados de back-end de linha, que juntos permitem o 9200 mt/s (taxa de transferência de dados), uma melhoria de desempenho de 15% em relação a 1β dram (…) enquanto reduz a energia em cerca de 20% em relação a 1β”, disse Shigeru Shiratake.

Por enquanto, a Micron produz seus 1γ DRAMs em seus Fabs no Japão, onde a primeira ferramenta EUV da empresa foi instalada em 2024. À medida que a empresa aumenta a produção de memória 1γ, adicionará mais sistemas EUV aos seus fabulos no Japão e Taiwan.

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